
ESD二极管通过雪崩或齐纳击穿机制,在电压超过阈值时快速导通,实现电压箝位,保护电路免受静电放电损害。
ESD二极管通过PN结的击穿特性实现静电能量泄放,其工作模式分为正常状态和ESD触发状态:
1.正常工作状态(无ESD事件) 反向偏置:二极管处于反向截止区,漏电流极小(通常<10nA),表现为高阻抗 等效电容:PN结耗尽层形成微小电容(CT),对高频信号影响可忽略。2.ESD触发状态(静电放电发生时) 击穿条件:当静电电压超过反向击穿电压(VBR)时,PN结进入雪崩击穿或齐纳击穿模式: 雪崩击穿(VBR>5V):高能电子碰撞产生电离链式反应,电流迅速增大。 齐纳击穿(VBR<5V):量子隧穿效应主导,直接拉出价带电子。展开剩余78%应用场景1.接口保护
USB、HDMI、以太网接口的信号线与地之间并联ESD二极管,防止插拔时的静电冲击。2.芯片级防护
集成在IC输入/输出引脚附近,直接吸收芯片级ESD事件。
型号推荐今天介绍一颗捷捷微ESD二极管JEB03D3双向,其主要参数如下:
品类: ESD二极管 型号: JEB03D3 极性: 双向 封装: SOD-323 功率:450瓦 电压: 3.3V规格详情深圳世昌隆电子有限公司深圳世昌隆电子有限公司是香港GAINMORE电子在深圳注册成立的一家专业从事世界知名品牌电子元器件代理销售及相关技术支持于一体的专业公司,具有独立的进出口权。
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7、台湾Alfa-MOS 闸能:极小封装MOS管/电源管理IC;
8、台湾JNC 嘉耐:Y电容/压敏电阻;
9、STE 松田:薄膜电容/X电容/Y电容/压敏电阻/热敏电阻;
10、Maplesemi 美浦森:高压MOS管/中低压MOS管/碳化硅二极管/碳化硅MOS管;
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